透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811255896.2

申请日：

2018-10-25

公开(公告)号：

CN109461644B

公开(公告)日：

2019-03-12

发明(设计)人：

刘乃鑫魏同波魏学成王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	公开	公开
2019-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181025
2021-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化铝单晶衬底的加工方法及紫外发光器件的制备方法 [P].

王新强 ;

刘上锋 ;

袁冶 ;

王钇心 ;

康俊杰 ;

罗巍 .

中国专利 :CN114050104B ,2022-02-15

[2]

复合结构氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件 [P].

袁冶 ;

王新强 ;

卢同心 ;

万文婷 ;

曹家康 ;

李泰 ;

罗巍 .

中国专利 :CN118610071A ,2024-09-06

[3]

超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件 [P].

袁冶 ;

王新强 ;

卢同心 ;

万文婷 ;

曹家康 ;

李泰 ;

罗巍 .

中国专利 :CN117637442A ,2024-03-01

[4]

超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件 [P].

袁冶 ;

王新强 ;

卢同心 ;

万文婷 ;

曹家康 ;

李泰 ;

罗巍 .

中国专利 :CN117637442B ,2024-09-13

[5]

紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P].

郭凯 ;

李开心 ;

徐广源 ;

俄文文 ;

李超 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN119208481B ,2025-09-30

[6]

紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件 [P].

郭凯 ;

李开心 ;

徐广源 ;

俄文文 ;

李超 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN119208481A ,2024-12-27

[7]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

[8]

AlN单晶基板及器件 [P].

阿闭恭平 ;

小林博治 ;

中村江利 ;

竹内胜之 .

日本专利 :CN120787273A ,2025-10-14

[9]

AlN单晶基板及器件 [P].

小林博治 ;

小川博久 ;

渡边守道 .

日本专利 :CN118284723A ,2024-07-02

[10]

AlN单晶基板及器件 [P].

小林博治 ;

阿闭恭平 ;

竹内胜之 ;

中村江利 .

日本专利 :CN120813733A ,2025-10-17

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