基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411684343.4

申请日：

2024-11-22

公开(公告)号：

CN119562556A

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

周弘张超群胡超杰刘志宏张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/85 H10D62/824 H10D30/01

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;王玺钧

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	公开	公开
2025-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241122

共 50 条

[1]

金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王若冰 ;

许文强 ;

赵颖 ;

张金风 ;

张雅超 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113193040A ,2021-07-30

[2]

AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件 [P].

董彬忠 ;

张武斌 ;

艾海平 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105470357A ,2016-04-06

[3]

AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件 [P].

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105633233A ,2016-06-01

[4]

基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823686A ,2021-12-21

[5]

基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823686B ,2024-07-30

[6]

透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 [P].

刘乃鑫 ;

魏同波 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109461644B ,2019-03-12

[7]

一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

郭涛 .

中国专利 :CN117542886B ,2025-09-05

[8]

一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

郭涛 .

中国专利 :CN117542886A ,2024-02-09

[9]

基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法 [P].

王龙 .

中国专利 :CN115881773B ,2025-12-30

[10]

AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN104701137A ,2015-06-10

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