AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510051801.5

申请日：

2015-01-31

公开(公告)号：

CN104701137A

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

吴志浩

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3300 H01L3310

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616038420 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015100518015 申请日:20150131
2015-06-10	公开	公开
2018-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

带有AlN缓冲层的LED芯片及制造方法 [P].

吴永胜 ;

张帆 ;

刘德意 .

中国专利 :CN110137323A ,2019-08-16

[2]

AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法 [P].

程海林 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118263370A ,2024-06-28

[3]

InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法 [P].

冯志宏 ;

刘波 ;

尹甲运 .

中国专利 :CN101345192A ,2009-01-14

[4]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

[5]

具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN118854449A ,2024-10-29

[6]

具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN118854449B ,2025-01-14

[7]

一种AlN缓冲层的生长方法 [P].

桑立雯 ;

杨志坚 ;

秦志新 ;

方浩 ;

于彤军 ;

张国义 .

中国专利 :CN101580930A ,2009-11-18

[8]

一种AlN缓冲层结构及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN108807625A ,2018-11-13

[9]

一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜及制备方法 [P].

于乃森 ;

陈向丰 ;

齐岩 ;

赵海燕 ;

董大朋 .

中国专利 :CN107492480A ,2017-12-19

[10]

一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108560051A ,2018-09-21

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