一种AlN缓冲层结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810374639.4

申请日：

2018-04-24

公开(公告)号：

CN108807625A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3320 H01L3300 B82Y4000

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

郭佳利;郭裕彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	公开	公开
2021-11-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20181113
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20180424

共 50 条

[1]

一种AlN层及其制备方法 [P].

陈传国 ;

唐宝坤 ;

徐志军 ;

江汉 ;

宋威姿 ;

饶晓松 .

中国专利 :CN114203876A ,2022-03-18

[2]

一种AlN缓冲层、LED晶圆外延片及其制备方法 [P].

周圣军 ;

刘旭 ;

蒋晶晶 .

中国专利 :CN118630110A ,2024-09-10

[3]

一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法 [P].

刘锐森 ;

蓝文新 ;

刘召忠 ;

林辉 ;

杨小利 .

中国专利 :CN111354629A ,2020-06-30

[4]

AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法 [P].

程海林 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118263370A ,2024-06-28

[5]

AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN104701137A ,2015-06-10

[6]

一种AlN缓冲层的生长方法 [P].

桑立雯 ;

杨志坚 ;

秦志新 ;

方浩 ;

于彤军 ;

张国义 .

中国专利 :CN101580930A ,2009-11-18

[7]

一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN111599901A ,2020-08-28

[8]

一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜及制备方法 [P].

于乃森 ;

陈向丰 ;

齐岩 ;

赵海燕 ;

董大朋 .

中国专利 :CN107492480A ,2017-12-19

[9]

一种具有前置层的长波长LED外延结构及其制备方法 [P].

吴挺竹 ;

赖寿强 ;

赖昭序 ;

卢霆威 ;

刘时彪 ;

林苡 ;

郭伟杰 ;

吕毅军 ;

林岳 ;

陈忠 .

中国专利 :CN115050867A ,2022-09-13

[10]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

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