一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810560607.3

申请日：

2018-06-04

公开(公告)号：

CN108560051A

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

沈洪雪姚婷婷杨勇李刚

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2506 C30B2518

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

陈俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-21	公开	公开
2019-08-30	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 29/16 申请公布日:20180921
2018-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20180604

共 50 条

[1]

一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法 [P].

王林军 ;

唐可 ;

黄健 ;

赖建明 ;

管玉兰 ;

夏义本 .

中国专利 :CN101323971A ,2008-12-17

[2]

一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法 [P].

言智 ;

张恩霞 ;

周细应 ;

何佳 ;

于治水 .

中国专利 :CN101403099A ,2009-04-08

[3]

具有铁电性的V掺杂ZnO薄膜及其制备方法 [P].

潘峰 ;

杨玉超 ;

曾飞 ;

宋成 .

中国专利 :CN101104566A ,2008-01-16

[4]

一种Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜的制备方法 [P].

沈洪雪 ;

倪嘉 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108396298A ,2018-08-14

[5]

一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法 [P].

张灿云 ;

邹军 ;

徐家跃 ;

孔晋芳 ;

王凤超 ;

杨波波 ;

李龙 ;

孙孪鸿 .

中国专利 :CN104911706B ,2015-09-16

[6]

具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法 [P].

王林军 ;

季欢欢 ;

杨瑾 ;

黄健 ;

吴杨琳 ;

周家伟 ;

沈意斌 ;

张继军 .

中国专利 :CN107230735B ,2017-10-03

[7]

一种ZnO/BS/Cu/ZnO多层结构透明导电薄膜的制备方法 [P].

于仕辉 ;

赵乐 ;

刘荣闯 ;

李玲霞 ;

孙永涛 .

中国专利 :CN108517493A ,2018-09-11

[8]

AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法 [P].

吴志浩 .

中国专利 :CN104701137A ,2015-06-10

[9]

一种氮掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

葛莹莹 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108149196A ,2018-06-12

[10]

一种Al、Mn共掺杂ZnO薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

倪嘉 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

金克武 ;

李刚 .

中国专利 :CN108165940A ,2018-06-15

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