一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311613939.0

申请日：

2023-11-28

公开(公告)号：

CN117542886A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

吴畅王凯邢绍琨刘捷龙郭涛

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/267 H01L21/34

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

张文静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开
2025-09-05	授权	授权
2024-08-30	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:申请人变更前:湖北九峰山实验室变更后:湖北九峰山实验室变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层变更后:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231128

共 50 条

[1]

一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

郭涛 .

中国专利 :CN117542886B ,2025-09-05

[2]

一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

耿茂华 ;

周瑞 ;

黄镇 .

中国专利 :CN117059661B ,2025-07-25

[3]

极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘捷龙 ;

郭涛 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN117038711B ,2024-11-19

[4]

一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件 [P].

张鹏 ;

宓珉翰 ;

何云龙 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105390540A ,2016-03-09

[5]

一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

宓珉翰 ;

何云龙 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105789295A ,2016-07-20

[6]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

[7]

一种具有氧化镓氮化镓异质结的Fin-HEMT及其制作方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘安 ;

刘捷龙 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN120603283A ,2025-09-05

[8]

一种多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

刘文韬 ;

祝杰杰 ;

张濛 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120187054A ,2025-06-20

[9]

一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

何云龙 ;

宓珉翰 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105428411A ,2016-03-23

[10]

一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

何云龙 ;

宓珉翰 ;

张濛 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105355557A ,2016-02-24

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