一种具有强极化异质结沟道的Fin-HEMT及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310995082.7

申请日：

2023-08-07

公开(公告)号：

CN117059661B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

吴畅王凯耿茂华周瑞黄镇

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/824 H10D30/01

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

张文静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权
2024-08-30	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:申请人变更前:湖北九峰山实验室变更后:湖北九峰山实验室变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层变更后:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

共 50 条

[1]

极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘捷龙 ;

郭涛 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN117038711B ,2024-11-19

[2]

一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

郭涛 .

中国专利 :CN117542886B ,2025-09-05

[3]

一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

郭涛 .

中国专利 :CN117542886A ,2024-02-09

[4]

一种具有氧化镓氮化镓异质结的Fin-HEMT及其制作方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘安 ;

刘捷龙 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN120603283A ,2025-09-05

[5]

一种具有氧化铝镓氧化镓异质结的Fin-HEMT及其制作方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

何琦 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 .

中国专利 :CN120603271A ,2025-09-05

[6]

一种具有氧化铝镓氮化镓氧化镓异质结的Fin-HEMT及其制作方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘捷龙 ;

刘安 ;

何琦 .

中国专利 :CN120603272A ,2025-09-05

[7]

一种双异质结极化增强的准纵向GaN HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

郗路凡 ;

魏杰 ;

孙涛 ;

邓思雨 ;

贾艳江 ;

廖德尊 ;

张成 .

中国专利 :CN112909077A ,2021-06-04

[8]

一种多沟道HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

贾卉悦 ;

张濛 ;

祝杰杰 ;

杨眉 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120711766A ,2025-09-26

[9]

一种新型异质结光电探测器及其制备方法 [P].

胡彦飞 ;

兰志超 ;

郭辉 ;

王雨田 ;

袁昊 ;

何艳静 .

中国专利 :CN113517366A ,2021-10-19

[10]

一种具有常关沟道的高压多异质结器件 [P].

汪志刚 ;

陈协助 ;

孙江 .

中国专利 :CN105140280B ,2015-12-09

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