一种具有常关沟道的高压多异质结器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510446154.8

申请日：

2015-07-27

公开(公告)号：

CN105140280B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

汪志刚陈协助孙江

申请人：

申请人地址：

610031 四川省成都市二环路北一段111号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L2966

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	授权	授权
2015-12-09	公开	公开
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640708319 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2015104461548 申请日:20150727
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20150727 授权公告日:20171201 终止日期:20200727

共 50 条

[1]

一种具有空穴吸收层的异质结器件及制备工艺 [P].

汪志刚 ;

宋怡慧 .

中国专利 :CN120812978A ,2025-10-17

[2]

一种常关型氮化镓HEMT器件 [P].

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN208781852U ,2019-04-23

[3]

一种具有复合势垒层结构的常关型III‑V异质结场效应晶体管 [P].

董志华 ;

程知群 ;

刘国华 ;

柯华杰 ;

周涛 .

中国专利 :CN206116406U ,2017-04-19

[4]

一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管 [P].

董志华 ;

程知群 ;

刘国华 ;

柯华杰 ;

周涛 .

中国专利 :CN105977294A ,2016-09-28

[5]

一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管 [P].

董志华 ;

程知群 ;

刘国华 ;

柯华杰 ;

周涛 .

中国专利 :CN205881909U ,2017-01-11

[6]

极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

王凯 ;

刘捷龙 ;

郭涛 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN117038711B ,2024-11-19

[7]

多沟道的横向高压器件 [P].

周锌 ;

袁章亦安 ;

李珂 ;

乔明 .

中国专利 :CN107978632B ,2018-05-01

[8]

一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

尹雪兵 ;

葛晓明 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112635557A ,2021-04-09

[9]

具有多沟道的半导体器件 [P].

李正允 ;

梁光容 ;

慎居明 ;

郑显秀 ;

李庸硕 .

中国专利 :CN107017295A ,2017-08-04

[10]

基于垂直沟道的异质结场效应管器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

程知群 ;

刘国华 ;

柯华杰 ;

周涛 .

中国专利 :CN106684143A ,2017-05-17

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