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一种多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510305971.5
申请日：
2025-03-14
公开(公告)号：
CN120187054A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
张鹏 刘文韬 祝杰杰 张濛 马晓华
申请人：
西安电子科技大学
申请人地址：
710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/10 H10D62/824 H10D64/23 H10D64/27
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
田孟敏
法律状态：
公开
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
2025-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250314
共 50 条
[1]
极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
吴畅 ;
王凯 ;
刘捷龙 ;
郭涛 ;
邢绍琨 .
中国专利 :CN117038711B ,2024-11-19
[2]
一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
何云龙 ;
宓珉翰 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105428411A ,2016-03-23
[3]
一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
何云龙 ;
宓珉翰 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105355557A ,2016-02-24
[4]
一种多沟道HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
贾卉悦 ;
张濛 ;
祝杰杰 ;
杨眉 ;
马晓华 .
中国专利 :CN120711766A ,2025-09-26
[5]
一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P]. 
吴畅 ;
王凯 ;
邢绍琨 ;
刘捷龙 ;
郭涛 .
中国专利 :CN117542886B ,2025-09-05
[6]
一种强极化异质结Fin-HEMT器件及制备方法 [P]. 
吴畅 ;
王凯 ;
邢绍琨 ;
刘捷龙 ;
郭涛 .
中国专利 :CN117542886A ,2024-02-09
[7]
一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
魏进 ;
崔家玮 ;
杨俊杰 ;
吴妍霖 .
中国专利 :CN117954476A ,2024-04-30
[8]
一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
魏进 ;
崔家玮 ;
杨俊杰 ;
吴妍霖 .
中国专利 :CN117954476B ,2025-09-05
[9]
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
宓珉翰 ;
何云龙 ;
张濛 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105789295A ,2016-07-20
[10]
一种多沟道HEMT器件及其制作方法 [P]. 
张安邦 .
中国专利 :CN118888580A ,2024-11-01
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