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一种多沟道HEMT器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410915435.2
申请日：
2024-07-09
公开(公告)号：
CN118888580A
公开(公告)日：
2024-11-01
发明(设计)人：
张安邦
申请人：
上海新微半导体有限公司
申请人地址：
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
IPC主分类号：
H01L29/778
IPC分类号：
H01L29/08
H01L23/34
H01L21/335
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
陈挺娴
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-01 | 公开 | 公开 |
| 2025-09-23 | 授权 | 授权 |
| 2024-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240709 |