一种HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211200078.9

申请日：

2022-09-29

公开(公告)号：

CN117832255A

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

肖霞何元浩

申请人：

华润微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/417 H01L29/423 H01L29/778 H01L21/335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

刘星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20220929
2024-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

HEMT器件及其制作方法 [P].

向鹏 ;

程凯 .

中国专利 :CN118140312A ,2024-06-04

[2]

一种HEMT器件及其制作方法 [P].

尹雪兵 ;

李成果 ;

曾巧玉 ;

葛晓明 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112614886B ,2021-04-06

[3]

HEMT器件及其制作方法 [P].

张连 ;

张韵 ;

程哲 .

中国专利 :CN111952177B ,2024-09-06

[4]

HEMT器件及其制作方法 [P].

张连 ;

张韵 ;

程哲 .

中国专利 :CN111952177A ,2020-11-17

[5]

HEMT器件及其制作方法 [P].

萨梅·哈利勒 ;

卡里姆·S·保特罗斯 ;

凯苏克·稀恩奥哈拉 .

中国专利 :CN104412388A ,2015-03-11

[6]

一种HEMT器件及其制作方法 [P].

林志东 ;

刘胜厚 ;

孙希国 .

中国专利 :CN113113313A ,2021-07-13

[7]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[8]

改良的HEMT器件及其制作方法 [P].

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112242391A ,2021-01-19

[9]

一种多沟道HEMT器件及其制作方法 [P].

张安邦 .

中国专利 :CN118888580A ,2024-11-01

[10]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

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