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改良的HEMT器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011107905.0
申请日
:
2020-10-20
公开(公告)号
:
CN112242391A
公开(公告)日
:
2021-01-19
发明(设计)人
:
于国浩
张宝顺
申请人
:
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B
IPC主分类号
:
H01L27085
IPC分类号
:
H01L29778
H01L21335
H01L2906
H01L29417
代理机构
:
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
:
王锋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-02-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/085 申请日:20201020
2021-01-19
公开
公开
共 50 条
[1]
HEMT器件及其制作方法
[P].
向鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
向鹏
;
程凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
程凯
.
中国专利
:CN118140312A
,2024-06-04
[2]
HEMT器件及其制作方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
张连
;
论文数:
引用数:
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机构:
张韵
;
论文数:
引用数:
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机构:
程哲
.
中国专利
:CN111952177B
,2024-09-06
[3]
HEMT器件及其制作方法
[P].
张连
论文数:
0
引用数:
0
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0
张连
;
张韵
论文数:
0
引用数:
0
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0
张韵
;
程哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
程哲
.
中国专利
:CN111952177A
,2020-11-17
[4]
HEMT器件及其制作方法
[P].
萨梅·哈利勒
论文数:
0
引用数:
0
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0
萨梅·哈利勒
;
卡里姆·S·保特罗斯
论文数:
0
引用数:
0
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0
卡里姆·S·保特罗斯
;
凯苏克·稀恩奥哈拉
论文数:
0
引用数:
0
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凯苏克·稀恩奥哈拉
.
中国专利
:CN104412388A
,2015-03-11
[5]
HEMT器件的制作方法及HEMT器件
[P].
李敏
论文数:
0
引用数:
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机构:
上海应用技术大学
上海应用技术大学
李敏
;
尹欢
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0
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机构:
上海应用技术大学
上海应用技术大学
尹欢
;
赵雨佳
论文数:
0
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机构:
上海应用技术大学
上海应用技术大学
赵雨佳
;
于志强
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机构:
上海应用技术大学
上海应用技术大学
于志强
;
荆学东
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机构:
上海应用技术大学
上海应用技术大学
荆学东
.
中国专利
:CN120475731A
,2025-08-12
[6]
GaN基HEMT器件及其制作方法
[P].
谭庶欣
论文数:
0
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0
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0
谭庶欣
.
中国专利
:CN111223777A
,2020-06-02
[7]
HEMT器件的制作方法
[P].
辛毅捷
论文数:
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辛毅捷
;
蔡勇
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蔡勇
;
尹立航
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尹立航
;
邓旭光
论文数:
0
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0
邓旭光
.
中国专利
:CN115440593A
,2022-12-06
[8]
GaN HEMT器件及其制作方法
[P].
陈一峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈一峰
.
中国专利
:CN105226093B
,2016-01-06
[9]
一种HEMT器件及其制作方法
[P].
尹雪兵
论文数:
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尹雪兵
;
李成果
论文数:
0
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李成果
;
曾巧玉
论文数:
0
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曾巧玉
;
葛晓明
论文数:
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葛晓明
;
陈志涛
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0
陈志涛
.
中国专利
:CN112614886B
,2021-04-06
[10]
一种HEMT器件及其制作方法
[P].
肖霞
论文数:
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机构:
华润微电子(重庆)有限公司
华润微电子(重庆)有限公司
肖霞
;
何元浩
论文数:
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机构:
华润微电子(重庆)有限公司
华润微电子(重庆)有限公司
何元浩
.
中国专利
:CN117832255A
,2024-04-05
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