AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511029761.0

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105470357A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

董彬忠张武斌艾海平李鹏王江波

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658478888 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2015110297610 申请日:20151231
2016-04-06	公开	公开
2018-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件 [P].

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105633233A ,2016-06-01

[2]

AlGaN模板、AlGaN模板的制备方法及AlGaN模板上的半导体器件 [P].

董彬忠 ;

张武斌 ;

艾海平 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105633223A ,2016-06-01

[3]

极性可控的高质量AlN模板制备方法 [P].

刘志彬 ;

郭亚楠 ;

闫建昌 ;

李晋闽 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111676451A ,2020-09-18

[4]

一种获得高质量AlN模板的方法 [P].

黎大兵 ;

贲建伟 ;

孙晓娟 ;

贾玉萍 ;

刘贺男 ;

宋航 ;

陈一仁 ;

蒋红 .

中国专利 :CN107768234A ,2018-03-06

[5]

Si掺杂的AlN模板、制备方法及AlGaN基LED光源 [P].

赵张媛 ;

徐广源 ;

张童 ;

郭凯 ;

李开心 ;

唐志文 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120400992A ,2025-08-01

[6]

高质量低应力AlN图形模板的制备方法 [P].

郭亚楠 ;

刘志彬 ;

闫建昌 ;

李晋闽 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111710594A ,2020-09-25

[7]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

[8]

一种AlN模板、外延片结构及制造方法 [P].

张奕 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN109638117B ,2019-04-16

[9]

AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件 [P].

康俊勇 ;

李书平 ;

陈航洋 ;

刘达艺 ;

杨伟煌 ;

林伟 ;

李金钗 .

中国专利 :CN101503826A ,2009-08-12

[10]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

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