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一种获得高质量AlN模板的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710887680.7
申请日
:
2017-09-27
公开(公告)号
:
CN107768234A
公开(公告)日
:
2018-03-06
发明(设计)人
:
黎大兵
贲建伟
孙晓娟
贾玉萍
刘贺男
宋航
陈一仁
蒋红
申请人
:
申请人地址
:
130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L21324
代理机构
:
长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) 22210
代理人
:
南小平
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-03-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170927
2021-03-19
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20180306
2018-03-06
公开
公开
共 50 条
[1]
极性可控的高质量AlN模板制备方法
[P].
刘志彬
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刘志彬
;
郭亚楠
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郭亚楠
;
闫建昌
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闫建昌
;
李晋闽
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李晋闽
;
王军喜
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王军喜
.
中国专利
:CN111676451A
,2020-09-18
[2]
高质量低应力AlN图形模板的制备方法
[P].
郭亚楠
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郭亚楠
;
刘志彬
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刘志彬
;
闫建昌
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闫建昌
;
李晋闽
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李晋闽
;
王军喜
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王军喜
.
中国专利
:CN111710594A
,2020-09-25
[3]
一种高质量AlN薄膜及其制作方法和应用
[P].
李国强
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
李国强
;
衣新燕
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
衣新燕
;
罗添友
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机构:
广州市艾佛光通科技有限公司
广州市艾佛光通科技有限公司
罗添友
.
中国专利
:CN117926181A
,2024-04-26
[4]
高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法
[P].
刘志彬
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刘志彬
;
郭亚楠
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郭亚楠
;
闫建昌
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闫建昌
;
李晋闽
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李晋闽
;
王军喜
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王军喜
.
中国专利
:CN111710595A
,2020-09-25
[5]
一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法
[P].
王充
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
王充
;
侯杰
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
侯杰
;
张童
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山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
张童
;
张晓娜
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
张晓娜
.
中国专利
:CN118390159B
,2024-08-23
[6]
一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法
[P].
论文数:
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机构:
杨学林
;
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机构:
沈波
;
陈正昊
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机构:
北京大学
北京大学
陈正昊
;
吴俊慷
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机构:
北京大学
北京大学
吴俊慷
;
蔡子东
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机构:
北京大学
北京大学
蔡子东
;
论文数:
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机构:
杨鸿才
;
郭富强
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机构:
北京大学
北京大学
郭富强
.
中国专利
:CN118127637A
,2024-06-04
[7]
一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法
[P].
王充
论文数:
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
王充
;
侯杰
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
侯杰
;
张童
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
张童
;
张晓娜
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
张晓娜
.
中国专利
:CN118390159A
,2024-07-26
[8]
一种高质量AlN及其制备方法和应用
[P].
许福军
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许福军
;
沈波
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沈波
;
解楠
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解楠
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王明星
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王明星
;
孙元浩
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孙元浩
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刘百银
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刘百银
;
王新强
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王新强
;
秦志新
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秦志新
.
中国专利
:CN108364852A
,2018-08-03
[9]
一种高质量AlN薄膜材料及其制备方法
[P].
孙秀建
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
孙秀建
;
黄应南
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
黄应南
;
孙钱
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苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
孙钱
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魏永强
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苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
魏永强
;
许奇明
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苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
许奇明
;
沈雁伟
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
沈雁伟
.
中国专利
:CN119287520A
,2025-01-10
[10]
一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用
[P].
许福军
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许福军
;
沈波
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沈波
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王明星
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王明星
;
王嘉铭
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王嘉铭
;
康香宁
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康香宁
;
秦志新
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0
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0
秦志新
.
中国专利
:CN109994377A
,2019-07-09
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