AlN单晶基板及器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380093108.7

申请日：

2023-03-16

公开(公告)号：

CN120813733A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

小林博治阿闭恭平竹内胜之中村江利

申请人：

日本碍子株式会社

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

代理机构：

北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432

代理人：

李伟;郑雪娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/38申请日:20230316
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

AlN单晶基板及器件 [P].

阿闭恭平 ;

小林博治 ;

中村江利 ;

竹内胜之 .

日本专利 :CN120787273A ,2025-10-14

[2]

AlN单晶基板及器件 [P].

小林博治 ;

小川博久 ;

渡边守道 .

日本专利 :CN118284723A ,2024-07-02

[3]

AlN单晶基板以及器件 [P].

小林博治 ;

小川博久 ;

渡边守道 .

日本专利 :CN118339330A ,2024-07-12

[4]

AlN单晶基板 [P].

小川博久 ;

渡边守道 ;

小林博治 .

日本专利 :CN118234899A ,2024-06-21

[5]

AlN单晶板 [P].

小川博久 ;

小林义政 ;

饭田和希 ;

柴田宏之 .

中国专利 :CN114761630A ,2022-07-15

[6]

AlN单晶板 [P].

小川博久 ;

小林义政 ;

饭田和希 ;

柴田宏之 .

日本专利 :CN114761630B ,2024-07-19

[7]

AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置 [P].

福山博之 ;

大塚诚 ;

安达正芳 ;

宫田麟太郎 ;

渡边康弘 .

日本专利 :CN118632952A ,2024-09-10

[8]

透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 [P].

刘乃鑫 ;

魏同波 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109461644B ,2019-03-12

[9]

陶瓷基板、AlN单晶体、AlN晶须以及AlN晶须复合物 [P].

松本昌树 ;

渡边将太 ;

西谷健治 ;

前田孝浩 ;

永冶仁 .

中国专利 :CN115667183A ,2023-01-31

[10]

一种B掺杂AlN单晶及制备方法 [P].

王国栋 ;

曹文豪 ;

张雷 ;

王守志 ;

俞娇仙 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN117385468A ,2024-01-12

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