一种硅基氮化镓外延片表面缺陷检测装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202321105106.9

申请日：

2023-05-10

公开(公告)号：

CN220305183U

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

陈威佑蔡清富蔡长祐胡智威

申请人：

南京百识电子科技有限公司

申请人地址：

211800 江苏省南京市浦口区大余所路5号中科创新产业园A11栋

IPC主分类号：

G01N21/95

IPC分类号：

G01N21/01

代理机构：

南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙) 32411

代理人：

柳强

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317A ,2024-07-23

[2]

一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118685863A ,2024-09-24

[3]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317B ,2025-03-21

[4]

一种硅基氮化镓外延片及其制作方法 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114864770A ,2022-08-05

[5]

一种硅基氮化镓外延结构 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN210805810U ,2020-06-19

[6]

硅基氮化镓铝外延片及其制备方法 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115295701B ,2022-12-30

[7]

一种氮化镓外延片加工用检测装置 [P].

马旺 ;

王建立 ;

张义 ;

袁理 .

中国专利 :CN222636054U ,2025-03-18

[8]

一种氮化镓外延片生长基盘 [P].

胡晓海 .

中国专利 :CN220318037U ,2024-01-09

[9]

硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 [P].

赵岩 ;

吴立枢 ;

程伟 ;

石归雄 .

中国专利 :CN103985664A ,2014-08-13

[10]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28

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