一种硅基氮化镓外延片及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210684036.0

申请日：

2022-06-17

公开(公告)号：

CN114864770A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

郑文杰程龙高虹曾家明刘春杨胡加辉

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3316 H01L3332 H01L3300 H01L3306

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

彭琰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	公开	公开
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20220617

共 50 条

[1]

硅基氮化镓铝外延片及其制备方法 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115295701B ,2022-12-30

[2]

一种氮化镓LED外延片制作方法 [P].

徐平 ;

王建长 ;

周奇华 .

中国专利 :CN118016772A ,2024-05-10

[3]

一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN110838539A ,2020-02-25

[4]

一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN110838539B ,2024-04-30

[5]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317A ,2024-07-23

[6]

一种硅基氮化镓外延片及其制备方法 [P].

王彦君 ;

黄飞 ;

杜飞 ;

罗永恒 ;

王洪朝 ;

谢路肖 ;

吴秀秀 ;

陈海波 .

中国专利 :CN118380317B ,2025-03-21

[7]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28

[8]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786A ,2021-10-22

[9]

一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 [P].

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

谢文明 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105552178B ,2016-05-04

[10]

一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN106876530B ,2017-06-20

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