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一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911162232.6
申请日
:
2019-11-25
公开(公告)号
:
CN110838539A
公开(公告)日
:
2020-02-25
发明(设计)人
:
仇美懿
庄家铭
申请人
:
申请人地址
:
528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
IPC主分类号
:
H01L3312
IPC分类号
:
H01L3332
H01L3300
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
胡枫;李素兰
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-02-25
公开
公开
2020-03-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20191125
共 50 条
[1]
一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法
[P].
仇美懿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
仇美懿
;
庄家铭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
佛山市国星半导体技术有限公司
佛山市国星半导体技术有限公司
庄家铭
.
中国专利
:CN110838539B
,2024-04-30
[2]
一种硅基氮化镓外延结构
[P].
仇美懿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
仇美懿
;
庄家铭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
庄家铭
.
中国专利
:CN210805810U
,2020-06-19
[3]
一种硅基氮化镓外延片及其制作方法
[P].
郑文杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑文杰
;
程龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程龙
;
高虹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高虹
;
曾家明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾家明
;
刘春杨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘春杨
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
.
中国专利
:CN114864770A
,2022-08-05
[4]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
孙钱
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
刘建勋
;
孙秀建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
孙秀建
;
詹晓宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
詹晓宁
;
高宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
高宏伟
;
黄应南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
黄应南
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
杨辉
.
中国专利
:CN113539786B
,2024-05-28
[5]
硅基氮化镓外延结构及其制造方法
[P].
梁辉南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
梁辉南
.
中国专利
:CN105720088A
,2016-06-29
[6]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法
[P].
孙钱
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙钱
;
刘建勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘建勋
;
孙秀建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙秀建
;
詹晓宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
詹晓宁
;
高宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高宏伟
;
黄应南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄应南
;
杨辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨辉
.
中国专利
:CN113539786A
,2021-10-22
[7]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法
[P].
王瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞市中镓半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司
王瑞
;
敖辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞市中镓半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司
敖辉
;
严鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞市中镓半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司
严鹏
;
庄文荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东莞市中镓半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司
庄文荣
.
中国专利
:CN117457809A
,2024-01-26
[8]
硅基氮化镓LED外延结构的制造方法
[P].
冯猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯猛
;
陈立人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈立人
;
刘恒山
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘恒山
.
中国专利
:CN105914270B
,2016-08-31
[9]
硅基氮化镓铝外延片及其制备方法
[P].
郑文杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑文杰
;
程龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
程龙
;
高虹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高虹
;
曾家明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾家明
;
刘春杨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘春杨
;
胡加辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡加辉
.
中国专利
:CN115295701B
,2022-12-30
[10]
一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法
[P].
谢志文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
谢志文
;
张铭信
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张铭信
;
陈铭胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈铭胜
.
中国专利
:CN114864762A
,2022-08-05
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