一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911162232.6
申请日
2019-11-25
公开(公告)号
CN110838539A
公开(公告)日
2020-02-25
发明(设计)人
仇美懿 庄家铭
申请人
申请人地址
528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
IPC主分类号
H01L3312
IPC分类号
H01L3332 H01L3300
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
胡枫;李素兰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种硅基氮化镓外延结构及其制作方法 [P]. 
仇美懿 ;
庄家铭 .
中国专利 :CN110838539B ,2024-04-30
[2]
一种硅基氮化镓外延结构 [P]. 
仇美懿 ;
庄家铭 .
中国专利 :CN210805810U ,2020-06-19
[3]
一种硅基氮化镓外延片及其制作方法 [P]. 
郑文杰 ;
程龙 ;
高虹 ;
曾家明 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN114864770A ,2022-08-05
[4]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P]. 
孙钱 ;
刘建勋 ;
孙秀建 ;
詹晓宁 ;
高宏伟 ;
黄应南 ;
杨辉 .
中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28
[5]
硅基氮化镓外延结构及其制造方法 [P]. 
梁辉南 .
中国专利 :CN105720088A ,2016-06-29
[6]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P]. 
孙钱 ;
刘建勋 ;
孙秀建 ;
詹晓宁 ;
高宏伟 ;
黄应南 ;
杨辉 .
中国专利 :CN113539786A ,2021-10-22
[7]
硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P]. 
王瑞 ;
敖辉 ;
严鹏 ;
庄文荣 .
中国专利 :CN117457809A ,2024-01-26
[8]
硅基氮化镓LED外延结构的制造方法 [P]. 
冯猛 ;
陈立人 ;
刘恒山 .
中国专利 :CN105914270B ,2016-08-31
[9]
硅基氮化镓铝外延片及其制备方法 [P]. 
郑文杰 ;
程龙 ;
高虹 ;
曾家明 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN115295701B ,2022-12-30
[10]
一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法 [P]. 
谢志文 ;
张铭信 ;
陈铭胜 .
中国专利 :CN114864762A ,2022-08-05