耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011026969.8
申请日
2020-09-25
公开(公告)号
CN114250436B
公开(公告)日
2024-03-29
发明(设计)人
段蛟
申请人
中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
C23C14/22
IPC分类号
C23C14/06 C23C14/08 C23C14/58 H01J37/32
代理机构
深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553
代理人
文言;田宇
法律状态
授权
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN114250436A ,2022-03-29
[2]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13
[3]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13
[4]
半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
朱生华 ;
陈星建 ;
倪图强 .
中国专利 :CN114256047A ,2022-03-29
[5]
耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN114664623B ,2024-12-10
[6]
耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN114664623A ,2022-06-24
[7]
耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113808935A ,2021-12-17
[8]
半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068274B ,2025-01-07
[9]
半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068274A ,2022-02-18
[10]
半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114078679B ,2024-01-23