耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010548424.7
申请日
2020-06-16
公开(公告)号
CN113808935A
公开(公告)日
2021-12-17
发明(设计)人
段蛟 孙祥 陈星建 杜若昕
申请人
申请人地址
200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
H01L21308
代理机构
深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553
代理人
文言;田宇
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113802094A ,2021-12-17
[2]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113802094B ,2024-04-05
[3]
耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN113808898A ,2021-12-17
[4]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13
[5]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13
[6]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
朱生华 ;
杨金全 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068275B ,2024-06-07
[7]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
朱生华 ;
杨金全 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18
[8]
半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
朱生华 ;
陈星建 ;
倪图强 .
中国专利 :CN114256047A ,2022-03-29
[9]
耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN114250436B ,2024-03-29
[10]
耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 .
中国专利 :CN114250436A ,2022-03-29