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耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010548424.7
申请日
:
2020-06-16
公开(公告)号
:
CN113808935A
公开(公告)日
:
2021-12-17
发明(设计)人
:
段蛟
孙祥
陈星建
杜若昕
申请人
:
申请人地址
:
200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
:
H01L213065
IPC分类号
:
H01L21308
代理机构
:
深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553
代理人
:
文言;田宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20200616
2021-12-17
公开
公开
共 50 条
[1]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置
[P].
孙祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙祥
;
段蛟
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段蛟
;
陈星建
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陈星建
;
杜若昕
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0
杜若昕
.
中国专利
:CN113802094A
,2021-12-17
[2]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置
[P].
孙祥
论文数:
0
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0
机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
孙祥
;
段蛟
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0
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
段蛟
;
陈星建
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
陈星建
;
杜若昕
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
杜若昕
.
中国专利
:CN113802094B
,2024-04-05
[3]
耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法
[P].
段蛟
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0
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0
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0
段蛟
.
中国专利
:CN113808898A
,2021-12-17
[4]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置
[P].
段蛟
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0
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段蛟
;
杨金全
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杨金全
;
陈星建
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陈星建
;
黄允文
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黄允文
.
中国专利
:CN114496690A
,2022-05-13
[5]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置
[P].
段蛟
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
段蛟
;
杨金全
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
杨金全
;
陈星建
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
陈星建
;
黄允文
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
黄允文
.
中国专利
:CN114496690B
,2024-12-13
[6]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法
[P].
朱生华
论文数:
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
朱生华
;
杨金全
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
杨金全
;
陈星建
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机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
陈星建
.
中国专利
:CN114068275B
,2024-06-07
[7]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法
[P].
朱生华
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朱生华
;
杨金全
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杨金全
;
陈星建
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陈星建
.
中国专利
:CN114068275A
,2022-02-18
[8]
半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置
[P].
朱生华
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朱生华
;
陈星建
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0
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陈星建
;
倪图强
论文数:
0
引用数:
0
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0
倪图强
.
中国专利
:CN114256047A
,2022-03-29
[9]
耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置
[P].
段蛟
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微半导体设备(上海)股份有限公司
段蛟
.
中国专利
:CN114250436B
,2024-03-29
[10]
耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置
[P].
段蛟
论文数:
0
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0
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0
段蛟
.
中国专利
:CN114250436A
,2022-03-29
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