半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010777043.6
申请日
2020-08-05
公开(公告)号
CN114068275B
公开(公告)日
2024-06-07
发明(设计)人
朱生华 杨金全 陈星建
申请人
中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请人地址
200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
代理机构
深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553
代理人
文言;田宇
法律状态
授权
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
朱生华 ;
杨金全 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18
[2]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13
[3]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13
[4]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068276B ,2025-03-28
[5]
半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
朱生华 ;
陈星建 ;
倪图强 .
中国专利 :CN114256047A ,2022-03-29
[6]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068276A ,2022-02-18
[7]
半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114078679A ,2022-02-22
[8]
半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114078679B ,2024-01-23
[9]
耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113808935A ,2021-12-17
[10]
涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
倪图强 .
中国专利 :CN115558988A ,2023-01-03