半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011024611.1

申请日：

2020-09-25

公开(公告)号：

CN114256047A

公开(公告)日：

2022-03-29

发明(设计)人：

朱生华陈星建倪图强

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167 C23C4134 C23C1406 C23C1408 C23C1422 C23C1630 C23C1640 C23C1644 C23C16455 C23C2800

代理机构：

深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553

代理人：

文言;田宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13

[2]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13

[3]

半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

杨桂林 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114078679A ,2022-02-22

[4]

半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

杨桂林 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114078679B ,2024-01-23

[5]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275B ,2024-06-07

[6]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

孙祥 ;

段蛟 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068276B ,2025-03-28

[7]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

孙祥 ;

段蛟 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068276A ,2022-02-18

[8]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18

[9]

涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

倪图强 .

中国专利 :CN115558988A ,2023-01-03

[10]

耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P].

段蛟 .

中国专利 :CN114250436B ,2024-03-29

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20200925
2022-03-29	公开	公开