半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010777454.5

申请日：

2020-08-05

公开(公告)号：

CN114068276B

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

孙祥段蛟陈星建

申请人：

中微半导体设备（上海）股份有限公司

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/67 C23C14/24 C23C14/08 C23C14/06

代理机构：

深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553

代理人：

文言;田宇

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

孙祥 ;

段蛟 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068276A ,2022-02-18

[2]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275B ,2024-06-07

[3]

半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 [P].

朱生华 ;

陈星建 ;

倪图强 .

中国专利 :CN114256047A ,2022-03-29

[4]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18

[5]

半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

杨桂林 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114078679A ,2022-02-22

[6]

半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

杨桂林 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114078679B ,2024-01-23

[7]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13

[8]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13

[9]

涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

倪图强 .

中国专利 :CN115558988A ,2023-01-03

[10]

零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

陈星建 .

中国专利 :CN113707526A ,2021-11-26

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