耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010548393.5

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN113802094B

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

孙祥段蛟陈星建杜若昕

申请人：

中微半导体设备（上海）股份有限公司

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

C23C14/24

IPC分类号：

C23C14/34 C23C14/02 C23C16/455 C23C14/08 C23C16/40 C23C28/04 H01J37/32

代理机构：

深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553

代理人：

文言;娄建平

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 [P].

孙祥 ;

段蛟 ;

陈星建 ;

杜若昕 .

中国专利 :CN113802094A ,2021-12-17

[2]

耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

陈星建 ;

杜若昕 .

中国专利 :CN113808935A ,2021-12-17

[3]

耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法 [P].

段蛟 .

中国专利 :CN113808898A ,2021-12-17

[4]

耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P].

段蛟 .

中国专利 :CN114250436B ,2024-03-29

[5]

耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置 [P].

段蛟 .

中国专利 :CN114250436A ,2022-03-29

[6]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13

[7]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13

[8]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275B ,2024-06-07

[9]

半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P].

朱生华 ;

杨金全 ;

陈星建 .

中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18

[10]

零部件、其形成涂层的方法及装置和等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

孙祥 ;

陈星建 .

中国专利 :CN113594013B ,2024-01-26

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