耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010548392.0
申请日
2020-06-16
公开(公告)号
CN113808898A
公开(公告)日
2021-12-17
发明(设计)人
段蛟
申请人
申请人地址
200120 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
IPC主分类号
H01J3732
IPC分类号
C23C1458 H01F1300
代理机构
深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553
代理人
文言;田宇
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13
[2]
耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
杨金全 ;
陈星建 ;
黄允文 .
中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13
[3]
耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113808935A ,2021-12-17
[4]
半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114078679A ,2022-02-22
[5]
半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
杨桂林 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114078679B ,2024-01-23
[6]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
朱生华 ;
杨金全 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068275B ,2024-06-07
[7]
半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法 [P]. 
朱生华 ;
杨金全 ;
陈星建 .
中国专利 :CN114068275A ,2022-02-18
[8]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113802094A ,2021-12-17
[9]
耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 [P]. 
孙祥 ;
段蛟 ;
陈星建 ;
杜若昕 .
中国专利 :CN113802094B ,2024-04-05
[10]
零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置 [P]. 
段蛟 ;
孙祥 ;
陈星建 .
中国专利 :CN113707526A ,2021-11-26