一种锑掺杂多元氧化物透明导电膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410035913.3

申请日：

2004-10-12

公开(公告)号：

CN1600895A

公开(公告)日：

2005-03-30

发明(设计)人：

马瑾黄树来马洪磊

申请人：

申请人地址：

250100山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C04B35453

代理机构：

济南金海诺知识产权代理有限公司

代理人：

周慰曾

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-10	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-11-29	授权	授权
2005-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法 [P].

马瑾 .

中国专利 :CN1718840A ,2006-01-11

[2]

一种氟掺杂氧化锡透明导电膜的制备方法 [P].

闫金良 ;

赵银女 ;

石亮 ;

刘建军 ;

李厅 .

中国专利 :CN101638772A ,2010-02-03

[3]

一种锑掺杂氧化锡纳米孔透明导电膜的制备方法 [P].

邵绍峰 ;

刘海洋 ;

刘峰 ;

贾艳刚 .

中国专利 :CN102815872A ,2012-12-12

[4]

一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

郭禧斌 .

中国专利 :CN107354440A ,2017-11-17

[5]

掺杂的透明导电氧化物 [P].

道格拉斯·道森 ;

斯科特·米勒斯 ;

泊伊尔·帕斯马科夫 ;

戴尔·罗伯逊 ;

赵志波 .

中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30

[6]

制备透明导电氧化物膜的方法 [P].

程寒松 ;

许国勤 .

中国专利 :CN103250213A ,2013-08-14

[7]

氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

秋池良 ;

土田裕也 ;

仓持豪人 .

中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23

[8]

一种透明导电氧化物及其制备方法 [P].

王建晖 ;

尧俊 ;

王文琦 ;

张睿智 ;

李龚剑 ;

卢仁 ;

鮑加拴 ;

金利剑 .

中国专利 :CN119132700A ,2024-12-13

[9]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

[10]

多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品 [P].

李翔 ;

袁红霞 ;

王娟 .

中国专利 :CN120738625A ,2025-10-03

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