三族氮化物垂直柱阵列衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610093762.6

申请日：

2006-06-19

公开(公告)号：

CN101093867A

公开(公告)日：

2007-12-26

发明(设计)人：

赖志铭刘文岳蔡政达许荣宗果尚志沈昌宏林弘伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20060619 授权公告日:20101208 终止日期:20190619
2008-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-26	公开	公开
2010-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

制造第三族氮化物衬底的方法 [P].

北冈康夫 ;

峰本尚 ;

木户口勲 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN100423297C ,2004-08-04

[2]

一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构 [P].

邱振宇 ;

鲁文超 ;

赵恩 ;

漆林 ;

李宗尧 ;

杨松 ;

曹冰 ;

王钦华 .

中国专利 :CN206532753U ,2017-09-29

[3]

一种制备三族氮化物衬底的方法 [P].

徐科 ;

杨辉 ;

王建峰 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN101086083A ,2007-12-12

[4]

第三族金属氮化物及其制备 [P].

摩西·埃纳威 .

中国专利 :CN101663413B ,2010-03-03

[5]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[6]

三族金属氮化物元件的制造方法 [P].

曾坚信 ;

蔡文忠 ;

陈聪育 .

中国专利 :CN1372301A ,2002-10-02

[7]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101504913A ,2009-08-12

[8]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101106081A ,2008-01-16

[9]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[10]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

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