三族金属氮化物元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01109034.0

申请日：

2001-02-27

公开(公告)号：

CN1372301A

公开(公告)日：

2002-10-02

发明(设计)人：

曾坚信蔡文忠陈聪育

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹县

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-10-02	公开	公开
2001-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

第三族金属氮化物及其制备 [P].

摩西·埃纳威 .

中国专利 :CN101663413B ,2010-03-03

[2]

制造第三族氮化物衬底的方法 [P].

北冈康夫 ;

峰本尚 ;

木户口勲 ;

石桥明彦 .

中国专利 :CN100423297C ,2004-08-04

[3]

三族氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

笠原健司 ;

上田和正 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN101421858A ,2009-04-29

[4]

三族氮化物晶体管及其制造方法 [P].

吴益逢 ;

詹奈棋 ;

李马卡西 ;

苏建 .

中国专利 :CN1260827C ,2003-05-21

[5]

Ⅲ族金属氮化物单晶的制造方法 [P].

平尾崇行 ;

今井克宏 ;

市村干也 .

中国专利 :CN101925696B ,2010-12-22

[6]

一种制备三族氮化物衬底的方法 [P].

徐科 ;

杨辉 ;

王建峰 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN101086083A ,2007-12-12

[7]

三族氮化物垂直柱阵列衬底 [P].

赖志铭 ;

刘文岳 ;

蔡政达 ;

许荣宗 ;

果尚志 ;

沈昌宏 ;

林弘伟 .

中国专利 :CN101093867A ,2007-12-26

[8]

III族金属氮化物单晶的制造方法 [P].

下平孝直 ;

今井克宏 ;

岩井真 .

中国专利 :CN102471920B ,2012-05-23

[9]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[10]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

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