Ⅲ族金属氮化物单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980103154.0

申请日：

2009-01-22

公开(公告)号：

CN101925696B

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

平尾崇行今井克宏市村干也

申请人：

申请人地址：

日本国爱知县

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B1912

代理机构：

上海市华诚律师事务所 31210

代理人：

李晓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	公开	公开
2012-12-05	授权	授权
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035906619 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2009801031540 申请日:20090122

共 50 条

[1]

III族金属氮化物单晶的制造方法 [P].

下平孝直 ;

今井克宏 ;

岩井真 .

中国专利 :CN102471920B ,2012-05-23

[2]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[3]

Ⅲ族氮化物单晶的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

三好实人 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN101743346A ,2010-06-16

[4]

III族氮化物单晶的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

三好实人 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN103173864A ,2013-06-26

[5]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[6]

III族氮化物单晶基板的制造方法 [P].

久保田芳宏 .

日本专利 :CN119301315A ,2025-01-10

[7]

Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶 [P].

皿山正二 ;

岩田浩和 ;

布施晃广 .

中国专利 :CN101175875A ,2008-05-07

[8]

Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

大前邦途 ;

岩桥友也 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN1671892A ,2005-09-21

[9]

III族氮化物单晶基板的制造方法、氮化铝单晶基板 [P].

福田真行 ;

人见达矢 ;

山本玲绪 .

日本专利 :CN118159695A ,2024-06-07

[10]

三族金属氮化物元件的制造方法 [P].

曾坚信 ;

蔡文忠 ;

陈聪育 .

中国专利 :CN1372301A ,2002-10-02

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