Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03818328.5

申请日：

2003-06-30

公开(公告)号：

CN1671892A

公开(公告)日：

2005-09-21

发明(设计)人：

佐佐木孝友森勇介吉村政志川村史朗大前邦途岩桥友也森下昌纪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

H01L21205 H01L21208

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-18	授权	授权
2013-08-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101508928486 IPC(主分类):C30B 29/38 专利号:ZL038183285 申请日:20030630 授权公告日:20070718 终止日期:20120630
2005-09-21	公开	公开
2011-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101078276305 IPC(主分类):C30B 29/38 专利号:ZL038183285 变更事项:专利权人变更前权利人:财团法人大阪产业振兴机构变更后权利人:国立大学法人大阪大学变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本大阪府登记生效日:20110217
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体 [P].

山田修 ;

峯本尚 ;

平中弘一 ;

畑山健 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 ;

北冈康夫 .

中国专利 :CN101558188A ,2009-10-14

[2]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[3]

Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法 [P].

森勇介 ;

峯本尚 ;

北冈康夫 ;

木户口勋 ;

川村史朗 ;

佐佐木孝友 ;

梅田英和 ;

高桥康仁 .

中国专利 :CN100535200C ,2007-03-14

[4]

Ⅲ族氮化物单晶的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

三好实人 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN101743346A ,2010-06-16

[5]

III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

平岩惠 ;

野中健太朗 .

日本专利 :CN120712386A ,2025-09-26

[6]

III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P].

大上翔平 .

日本专利 :CN120283088A ,2025-07-08

[7]

III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法 [P].

今井克宏 ;

杉山智彦 ;

野中健太朗 .

日本专利 :CN118632950A ,2024-09-10

[8]

III族氮化物单晶的制造方法 [P].

仓冈义孝 ;

角谷茂明 ;

三好实人 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN103173864A ,2013-06-26

[9]

Ⅲ族金属氮化物单晶的制造方法 [P].

平尾崇行 ;

今井克宏 ;

市村干也 .

中国专利 :CN101925696B ,2010-12-22

[10]

Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶 [P].

皿山正二 ;

岩田浩和 ;

布施晃广 .

中国专利 :CN101175875A ,2008-05-07

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