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存储单元阵列的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN98105762.4
申请日：
1998-03-23
公开(公告)号：
CN1143390C
公开(公告)日：
1999-09-29
发明(设计)人：
宋建迈
申请人：
申请人地址：
台湾省新竹科学工业园区
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L2182
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2004-03-24 授权 授权
2018-04-17 专利权的终止 专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:19980323 授权公告日:20040324
2000-12-27 实质审查请求的生效 实质审查请求的生效
1999-09-29 公开 公开
共 50 条
[1]
存储单元阵列及其制造方法 [P]. 
D·曼格尔 ;
S·施勒萨策克 ;
S·泰根 ;
K·米姆勒 ;
A·西克 .
中国专利 :CN1933160A ,2007-03-21
[2]
DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
申靖浩 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
殷华湘 .
中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03
[3]
存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法 [P]. 
L·黑内克 ;
M·波普 .
中国专利 :CN101140935A ,2008-03-12
[4]
存储单元阵列位线的制法、存储单元阵列及其制造方法 [P]. 
R·卡科斯奇科 ;
J·威勒 .
中国专利 :CN100336227C ,2004-06-02
[5]
一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
安佑松 ;
赵劼 ;
杨涛 ;
高建峰 .
中国专利 :CN114429957A ,2022-05-03
[6]
存储单元阵列及其制造方法 [P]. 
陈邦明 ;
普拉蒂普·滕塔苏德 ;
范德慈 .
中国专利 :CN101068020B ,2007-11-07
[7]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18
[8]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14
[9]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07
[10]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100B ,2025-10-14
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