半导体器件以及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910147514.9

申请日：

2003-12-26

公开(公告)号：

CN101577271B

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

桑原秀明高山彻后藤裕吾丸山纯矢大野由美子山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L23498 H01L2150 H01L2160

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张雪梅;蒋骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-08	授权	授权
2009-11-11	公开	公开
2019-12-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/00 申请日:20031226 授权公告日:20120808 终止日期:20181226

共 50 条

[1]

半导体器件以及其制作方法 [P].

桑原秀明 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 ;

丸山纯矢 ;

大野由美子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1516253A ,2004-07-28

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

笠井直记 .

中国专利 :CN1236989A ,1999-12-01

[4]

半导体元件、半导体器件以及其制作方法 [P].

石川明 .

中国专利 :CN100550323C ,2004-10-27

[5]

半导体元件、半导体器件以及其制作方法 [P].

石川明 .

中国专利 :CN101673769B ,2010-03-17

[6]

半导体器件以及其制作方法 [P].

大沼英人 ;

物江滋春 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1877799B ,2006-12-13

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

张春艳 ;

孙鹏 ;

李恒甫 ;

包焓 ;

曹立强 .

中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14

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