半导体元件、半导体器件以及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410035316.0

申请日：

2004-04-22

公开(公告)号：

CN100550323C

公开(公告)日：

2004-10-27

发明(设计)人：

石川明

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L218234 H01L2978 H01L2704

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;王勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2019-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20040422 授权公告日:20091014 终止日期:20180422
2006-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-10-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体器件以及其制作方法 [P].

石川明 .

中国专利 :CN101673769B ,2010-03-17

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

笠井直记 .

中国专利 :CN1236989A ,1999-12-01

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

西和夫 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 .

中国专利 :CN100392861C ,2006-02-15

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

须泽英臣 ;

小野幸治 ;

荒尾达也 .

中国专利 :CN1263153C ,2001-09-12

[5]

半导体器件以及其制作方法 [P].

桑原秀明 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 ;

丸山纯矢 ;

大野由美子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1516253A ,2004-07-28

[6]

半导体器件以及其制作方法 [P].

桑原秀明 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 ;

丸山纯矢 ;

大野由美子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101577271B ,2009-11-11

[7]

半导体器件以及其制作方法 [P].

大沼英人 ;

物江滋春 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1877799B ,2006-12-13

[8]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166A ,2025-02-14

[9]

半导体结构及其制作方法以及半导体器件 [P].

冯昕 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN119451166B ,2025-10-14

[10]

半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件 [P].

程纪伟 ;

夏志良 ;

周文犀 ;

蒲月强 ;

孙中旺 ;

苏睿 .

中国专利 :CN110676152A ,2020-01-10

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