有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610141031.8

申请日：

2013-06-03

公开(公告)号：

CN105801612A

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

萧满超雷新建 D·P·斯彭斯 H·钱德拉韩冰 M·L·奥内尔 S·G·玛约加 A·玛利卡尔朱南

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C07F710

IPC分类号：

C23C1634 C23C1636 C23C1640 C23C16455

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐一琨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	授权	授权
2017-06-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754576384 IPC(主分类):C07F 7/10 专利申请号:2016101410318 登记生效日:20170612 变更事项:申请人变更前权利人:气体产品与化学公司变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:宾夕法尼亚州变更后权利人:美国亚利桑那州
2016-07-27	公开	公开
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101675838872 IPC(主分类):C07F 7/10 专利申请号:2016101410318 申请日:20130603

共 50 条

[1]

有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

H·钱德拉 ;

韩冰 ;

M·L·奥内尔 ;

S·G·玛约加 ;

A·玛利卡尔朱南 .

中国专利 :CN108558926A ,2018-09-21

[2]

有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

H·钱德拉 ;

韩冰 ;

M·L·奥内尔 ;

S·G·玛约加 ;

A·玛利卡尔朱南 .

中国专利 :CN103450242B ,2013-12-18

[3]

有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

D·P·斯彭斯 ;

H·钱德拉 ;

M·L·奥内尔 .

中国专利 :CN103451619B ,2013-12-18

[4]

有机氨基硅烷前体及沉积包含该前体的薄膜的方法 [P].

萧满超 ;

M·L·奥尼尔 ;

H·R·鲍恩 ;

程寒松 ;

雷新建 .

中国专利 :CN102295657B ,2011-12-28

[5]

氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

D·P·斯潘斯 .

中国专利 :CN104250258B ,2014-12-31

[6]

有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

韩冰 ;

M·L·奥尼尔 ;

R·M·珀尔斯泰恩 ;

R·霍 ;

H·钱德拉 ;

A·德雷克凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN102827198A ,2012-12-19

[7]

用于沉积含硅薄膜的前体及其方法 [P].

肖满超 ;

A·K·霍奇伯格 ;

K·S·库西尔 .

中国专利 :CN1518076A ,2004-08-04

[8]

用于沉积含硅薄膜的前体及其制备和使用方法 [P].

程汉颂 ;

萧满超 ;

G·S·拉尔 ;

T·R·加夫尼 ;

周成刚 ;

吴金平 .

中国专利 :CN101648964A ,2010-02-17

[9]

用于ALD/CVD含硅薄膜应用的有机硅烷前体 [P].

C·迪萨拉 ;

G·库肯拜泽尔 ;

V·R·帕里姆 .

中国专利 :CN104080944A ,2014-10-01

[10]

用于氮化硼膜的ALD沉积的含硼前体 [P].

R·N·维蒂斯 ;

金武性 ;

H·钱德拉 ;

雷新建 .

美国专利 :CN119213168A ,2024-12-27

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