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有机氨基硅烷前体及沉积包含该前体的薄膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110154621.1
申请日：
2011-06-02
公开(公告)号：
CN102295657B
公开(公告)日：
2011-12-28
发明(设计)人：
萧满超 M·L·奥尼尔 H·R·鲍恩 程寒松 雷新建
申请人：
申请人地址：
美国宾夕法尼亚州
IPC主分类号：
C07F710
IPC分类号：
C23C1644 C23C1634 C23C1636 C23C1640 C23C16448
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
吴亦华;徐志明
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2012-02-15 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185309890 IPC(主分类):C07F 7/10 专利申请号:2011101546211 申请日:20110602
2015-04-29 授权 授权
2017-06-20 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754037554 IPC(主分类):C07F 7/10 专利号:ZL2011101546211 登记生效日:20170602 变更事项:专利权人 变更前权利人:气体产品与化学公司 变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国宾夕法尼亚州 变更后权利人:美国亚利桑那州
2011-12-28 公开 公开
共 50 条
[1]
卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
M·L·奥内尔 ;
韩冰 ;
R·M·皮尔斯泰恩 ;
H·钱德拉 ;
H·R·伯文 ;
A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .
中国专利 :CN103012457B ,2013-04-03
[2]
卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
M·L·奥内尔 ;
韩冰 ;
R·M·皮尔斯泰恩 ;
H·钱德拉 ;
H·R·伯文 ;
A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .
中国专利 :CN107312028A ,2017-11-03
[3]
卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
M·L·奥内尔 ;
韩冰 ;
R·M·皮尔斯泰恩 ;
H·钱德拉 ;
H·R·伯文 ;
A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .
中国专利 :CN107857774A ,2018-03-30
[4]
有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
D·P·斯彭斯 ;
H·钱德拉 ;
韩冰 ;
M·L·奥内尔 ;
S·G·玛约加 ;
A·玛利卡尔朱南 .
中国专利 :CN108558926A ,2018-09-21
[5]
有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
D·P·斯彭斯 ;
H·钱德拉 ;
韩冰 ;
M·L·奥内尔 ;
S·G·玛约加 ;
A·玛利卡尔朱南 .
中国专利 :CN105801612A ,2016-07-27
[6]
有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
D·P·斯彭斯 ;
H·钱德拉 ;
韩冰 ;
M·L·奥内尔 ;
S·G·玛约加 ;
A·玛利卡尔朱南 .
中国专利 :CN103450242B ,2013-12-18
[7]
有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
D·P·斯彭斯 ;
H·钱德拉 ;
M·L·奥内尔 .
中国专利 :CN103451619B ,2013-12-18
[8]
有机氨基硅烷前体和包含该前体的沉积膜的方法 [P]. 
M·L·奥尼尔 ;
萧满超 ;
雷新建 ;
R·霍 ;
H·钱德拉 ;
M·R·麦克唐纳德 ;
王美良 .
中国专利 :CN104672265A ,2015-06-03
[9]
氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
D·P·斯潘斯 .
中国专利 :CN104250258B ,2014-12-31
[10]
有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 [P]. 
萧满超 ;
雷新建 ;
韩冰 ;
M·L·奥尼尔 ;
R·M·珀尔斯泰恩 ;
R·霍 ;
H·钱德拉 ;
A·德雷克凯-科瓦克斯 .
中国专利 :CN102827198A ,2012-12-19
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