卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710325154.1

申请日：

2012-09-27

公开(公告)号：

CN107312028A

公开(公告)日：

2017-11-03

发明(设计)人：

萧满超雷新建 M·L·奥内尔韩冰 R·M·皮尔斯泰恩 H·钱德拉 H·R·伯文 A·德雷克斯凯-科瓦克斯

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

C07F712

IPC分类号：

C23C1640 C23C16455 H01L2102

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;吕小羽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C07F 7/12 申请公布日:20171103
2017-11-03	公开	公开
2017-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 7/12 申请日:20120927

共 37 条

[1]

卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

M·L·奥内尔 ;

韩冰 ;

R·M·皮尔斯泰恩 ;

H·钱德拉 ;

H·R·伯文 ;

A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN103012457B ,2013-04-03

[2]

卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

M·L·奥内尔 ;

韩冰 ;

R·M·皮尔斯泰恩 ;

H·钱德拉 ;

H·R·伯文 ;

A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN107857774A ,2018-03-30

[3]

有机氨基硅烷前体及沉积包含该前体的薄膜的方法 [P].

萧满超 ;

M·L·奥尼尔 ;

H·R·鲍恩 ;

程寒松 ;

雷新建 .

中国专利 :CN102295657B ,2011-12-28

[4]

有机氨基硅烷前体和包含该前体的沉积膜的方法 [P].

M·L·奥尼尔 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

R·霍 ;

H·钱德拉 ;

M·R·麦克唐纳德 ;

王美良 .

中国专利 :CN104672265A ,2015-06-03

[5]

氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

D·P·斯潘斯 .

中国专利 :CN104250258B ,2014-12-31

[6]

有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

韩冰 ;

M·L·奥尼尔 ;

R·M·珀尔斯泰恩 ;

R·霍 ;

H·钱德拉 ;

A·德雷克凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN102827198A ,2012-12-19

[7]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN103397306A ,2013-11-20

[8]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN101078109A ,2007-11-28

[9]

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法 [P].

H·思里丹达姆 ;

萧满超 ;

雷新建 ;

T·R·加夫尼 .

中国专利 :CN103225070A ,2013-07-31

[10]

使用氨基硅烷和氯硅烷前体的保形硅氧化物沉积 [P].

阿维尼什·古普塔 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

乔恩·亨利 ;

韦逢艳 ;

奥克萨娜·萨夫恰克 ;

伊斯瓦·斯里尼瓦桑 .

美国专利 :CN118696395A ,2024-09-24

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