有机氨基硅烷前体和包含该前体的沉积膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410486674.7

申请日：

2014-09-22

公开(公告)号：

CN104672265A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

M·L·奥尼尔萧满超雷新建 R·霍 H·钱德拉 M·R·麦克唐纳德王美良

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C07F710

IPC分类号：

C23C1644 C23C16513

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754047816 IPC(主分类):C07F 7/10 专利申请号:2014104866747 登记生效日:20170602 变更事项:申请人变更前权利人:气体产品与化学公司变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国宾夕法尼亚州变更后权利人:美国亚利桑那州
2020-10-30	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615751513 IPC(主分类):C07F 7/10 专利申请号:2014104866747 申请日:20140922
2015-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

有机氨基硅烷前体及沉积包含该前体的薄膜的方法 [P].

萧满超 ;

M·L·奥尼尔 ;

H·R·鲍恩 ;

程寒松 ;

雷新建 .

中国专利 :CN102295657B ,2011-12-28

[2]

卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

M·L·奥内尔 ;

韩冰 ;

R·M·皮尔斯泰恩 ;

H·钱德拉 ;

H·R·伯文 ;

A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN103012457B ,2013-04-03

[3]

卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

M·L·奥内尔 ;

韩冰 ;

R·M·皮尔斯泰恩 ;

H·钱德拉 ;

H·R·伯文 ;

A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN107312028A ,2017-11-03

[4]

卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

M·L·奥内尔 ;

韩冰 ;

R·M·皮尔斯泰恩 ;

H·钱德拉 ;

H·R·伯文 ;

A·德雷克斯凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN107857774A ,2018-03-30

[5]

有机氨基硅烷前体及其制备和使用方法 [P].

萧满超 ;

雷新建 ;

韩冰 ;

M·L·奥尼尔 ;

R·M·珀尔斯泰恩 ;

R·霍 ;

H·钱德拉 ;

A·德雷克凯-科瓦克斯 .

中国专利 :CN102827198A ,2012-12-19

[6]

前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备 [P].

李正贤 ;

姜闰浩 .

中国专利 :CN1970564A ,2007-05-30

[7]

使用氨基硅烷和氯硅烷前体的保形硅氧化物沉积 [P].

阿维尼什·古普塔 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 ;

乔恩·亨利 ;

韦逢艳 ;

奥克萨娜·萨夫恰克 ;

伊斯瓦·斯里尼瓦桑 .

美国专利 :CN118696395A ,2024-09-24

[8]

卤素官能化的环三硅氮烷作为用于沉积含硅膜的前体 [P].

萧满超 ;

H·钱德拉 ;

雷新建 ;

M·R·麦克唐纳 ;

M·科恩 ;

P·巴格里 .

美国专利 :CN118786243A ,2024-10-15

[9]

钨前体以及含该钨前体的含钨膜沉积方法 [P].

李三根 ;

李种泽 ;

李埈荣 ;

金昊燮 .

中国专利 :CN107849076A ,2018-03-27

[10]

由氯硅烷和氨基硅烷反应沉积的低温含硅膜 [P].

M·R·麦克唐纳 ;

H·坎德拉 ;

R·海古奇 ;

雷新建 ;

S·黄 .

美国专利 :CN120584213A ,2025-09-02

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