一种半导体设备的腔室及半导体设备

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020604243.7
申请日
2020-04-21
公开(公告)号
CN211529920U
公开(公告)日
2020-09-18
发明(设计)人
程长青 殷赛赛
申请人
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体设备的反应腔室及半导体设备 [P]. 
刘建 .
中国专利 :CN111446199A ,2020-07-24
[2]
半导体工艺腔室及半导体设备 [P]. 
王洪彪 ;
王勇飞 ;
兰云峰 ;
李浩东 ;
迟文凯 .
中国专利 :CN118422166A ,2024-08-02
[3]
半导体工艺腔室及半导体设备 [P]. 
韩宇 .
中国专利 :CN120719390A ,2025-09-30
[4]
半导体设备的工艺腔室、半导体设备及半导体工艺方法 [P]. 
赵雷超 ;
高天 ;
沈宇鑫 ;
赵联波 ;
郑波 .
中国专利 :CN115125519A ,2022-09-30
[5]
一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备 [P]. 
崔小康 ;
王美玲 ;
周令义 ;
郭鑫 ;
潘洋 .
中国专利 :CN119694941A ,2025-03-25
[6]
反应腔室及半导体设备 [P]. 
梁永军 .
中国专利 :CN216749815U ,2022-06-14
[7]
工艺腔室及半导体设备 [P]. 
金晨 ;
李建银 ;
刘学良 ;
马永 .
中国专利 :CN216514101U ,2022-05-13
[8]
工艺腔室及半导体设备 [P]. 
马恩泽 .
中国专利 :CN211045372U ,2020-07-17
[9]
半导体沉积腔室及半导体沉积设备 [P]. 
李继刚 ;
周纬 ;
朱顺利 ;
张俊 ;
张国伟 ;
王彬 .
中国专利 :CN223738133U ,2025-12-30
[10]
半导体腔室及半导体设备 [P]. 
孙中岳 .
中国专利 :CN220665444U ,2024-03-26