反应腔室及半导体设备

被引：0

申请号：

CN202123083851.1

申请日：

2021-12-09

公开(公告)号：

CN216749815U

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

梁永军

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

C23C16455 C23C1644

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

孙向民;廉莉莉

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体设备反应腔室 [P].

王德志 ;

柳朋亮 .

中国专利 :CN111105976B ,2020-05-05

[2]

半导体加工反应腔室及半导体加工设备 [P].

田才忠 ;

李士昌 ;

贾海立 .

中国专利 :CN217485404U ,2022-09-23

[3]

反应腔室及半导体设备 [P].

白云强 ;

张源 ;

李金龙 ;

张洪 ;

张文 ;

谷孝刚 ;

李补忠 ;

郑建宇 .

中国专利 :CN115125523A ,2022-09-30

[4]

反应腔室及半导体设备 [P].

贺斌 .

中国专利 :CN111863579A ,2020-10-30

[5]

半导体设备反应腔室的匀流装置、反应腔室和半导体设备 [P].

赵雷超 ;

赵联波 ;

沈宇鑫 ;

马原 .

中国专利 :CN215209615U ,2021-12-17

[6]

工艺腔室及半导体设备 [P].

金晨 ;

李建银 ;

刘学良 ;

马永 .

中国专利 :CN216514101U ,2022-05-13

[7]

工艺腔室及半导体设备 [P].

马恩泽 .

中国专利 :CN211045372U ,2020-07-17

[8]

定位机构、反应腔室及半导体设备 [P].

宋伟健 ;

高智伟 ;

母凤文 ;

谭向虎 ;

刘福超 .

中国专利 :CN223743624U ,2025-12-30

[9]

半导体设备的反应腔室及半导体设备 [P].

刘建 .

中国专利 :CN111446199A ,2020-07-24

[10]

反应腔室及半导体加工设备 [P].

宋海洋 ;

赵磊 ;

王文章 ;

郭万国 ;

刘菲菲 ;

高晓丽 .

中国专利 :CN110828271A ,2020-02-21

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