半导体设备反应腔室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911346492.9

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN111105976B

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

王德志柳朋亮

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;姜春咸

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20191224
2020-05-05	公开	公开
2022-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

反应腔室及半导体设备 [P].

梁永军 .

中国专利 :CN216749815U ,2022-06-14

[2]

半导体设备的反应腔室及半导体设备 [P].

刘建 .

中国专利 :CN111446199A ,2020-07-24

[3]

半导体反应腔室 [P].

茅兴飞 ;

韦刚 ;

王伟 ;

陈国动 .

中国专利 :CN112151364B ,2024-06-21

[4]

半导体反应腔室 [P].

茅兴飞 ;

韦刚 ;

王伟 ;

陈国动 .

中国专利 :CN112151364A ,2020-12-29

[5]

半导体反应腔室 [P].

宋新丰 .

中国专利 :CN115241093B ,2025-03-14

[6]

反应腔室和半导体设备 [P].

王磊 ;

张超 ;

耿波 ;

罗建恒 ;

赵康宁 ;

邱国庆 ;

田西强 .

中国专利 :CN109735822B ,2019-05-10

[7]

半导体设备的反应腔室 [P].

王勇飞 ;

史小平 ;

郑波 ;

兰云峰 .

中国专利 :CN111739820A ,2020-10-02

[8]

反应腔室及半导体设备 [P].

白云强 ;

张源 ;

李金龙 ;

张洪 ;

张文 ;

谷孝刚 ;

李补忠 ;

郑建宇 .

中国专利 :CN115125523A ,2022-09-30

[9]

反应腔室和半导体设备 [P].

李雪菲 .

中国专利 :CN105206550B ,2015-12-30

[10]

反应腔室及半导体设备 [P].

贺斌 .

中国专利 :CN111863579A ,2020-10-30

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