反应腔室及半导体设备

被引：0

申请号：

CN202210743888.2

申请日：

2022-06-28

公开(公告)号：

CN115125523A

公开(公告)日：

2022-09-30

发明(设计)人：

白云强张源李金龙张洪张文谷孝刚李补忠郑建宇

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C1650

IPC分类号：

C23C16458 C23C16455 H01J3732 H01L2167

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

廉莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

反应腔室及半导体设备 [P].

梁永军 .

中国专利 :CN216749815U ,2022-06-14

[2]

反应腔室及半导体设备 [P].

贺斌 .

中国专利 :CN111863579A ,2020-10-30

[3]

半导体设备反应腔室 [P].

王德志 ;

柳朋亮 .

中国专利 :CN111105976B ,2020-05-05

[4]

半导体工艺腔室及半导体加工设备 [P].

杨慧萍 ;

杨帅 ;

黄敏涛 .

中国专利 :CN112359422A ,2021-02-12

[5]

半导体设备的反应腔室及半导体设备 [P].

刘建 .

中国专利 :CN111446199A ,2020-07-24

[6]

反应腔室及半导体加工设备 [P].

李国荣 .

中国专利 :CN104658944A ,2015-05-27

[7]

反应腔室和半导体设备 [P].

王磊 ;

张超 ;

耿波 ;

罗建恒 ;

赵康宁 ;

邱国庆 ;

田西强 .

中国专利 :CN109735822B ,2019-05-10

[8]

半导体设备的反应腔室 [P].

王勇飞 ;

史小平 ;

郑波 ;

兰云峰 .

中国专利 :CN111739820A ,2020-10-02

[9]

反应腔室和半导体设备 [P].

李雪菲 .

中国专利 :CN105206550B ,2015-12-30

[10]

反应腔室和半导体设备 [P].

秦海丰 ;

史小平 ;

李春雷 ;

纪红 ;

赵雷超 ;

张文强 .

中国专利 :CN110499499B ,2019-11-26

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