反应腔室和半导体设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810481450.5

申请日：

2018-05-18

公开(公告)号：

CN110499499B

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

秦海丰史小平李春雷纪红赵雷超张文强

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1634

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

孙向民;廉莉莉

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	授权	授权
2019-11-26	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20180518

共 50 条

[1]

反应腔室和半导体设备 [P].

王磊 ;

张超 ;

耿波 ;

罗建恒 ;

赵康宁 ;

邱国庆 ;

田西强 .

中国专利 :CN109735822B ,2019-05-10

[2]

反应腔室和半导体设备 [P].

李雪菲 .

中国专利 :CN105206550B ,2015-12-30

[3]

半导体设备反应腔室的匀流装置、反应腔室和半导体设备 [P].

赵雷超 ;

赵联波 ;

沈宇鑫 ;

马原 .

中国专利 :CN215209615U ,2021-12-17

[4]

半导体设备反应腔室 [P].

王德志 ;

柳朋亮 .

中国专利 :CN111105976B ,2020-05-05

[5]

反应腔室和半导体加工设备 [P].

王文章 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN108735622B ,2018-11-02

[6]

半导体工艺反应腔室 [P].

王伟 .

中国专利 :CN111276384B ,2020-06-12

[7]

反应腔室及半导体加工设备 [P].

王伟 ;

李一成 .

中国专利 :CN109659213A ,2019-04-19

[8]

反应腔室及半导体设备 [P].

梁永军 .

中国专利 :CN216749815U ,2022-06-14

[9]

半导体设备的反应腔室 [P].

王勇飞 ;

史小平 ;

郑波 ;

兰云峰 .

中国专利 :CN111739820A ,2020-10-02

[10]

反应腔室及半导体设备 [P].

白云强 ;

张源 ;

李金龙 ;

张洪 ;

张文 ;

谷孝刚 ;

李补忠 ;

郑建宇 .

中国专利 :CN115125523A ,2022-09-30

← 1 2 3 4 5 →