半导体设备反应腔室的匀流装置、反应腔室和半导体设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120933366.X

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN215209615U

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

赵雷超赵联波沈宇鑫马原

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

孙向民;廉莉莉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

匀流装置、反应腔室和半导体加工设备 [P].

王春 ;

郑波 ;

马振国 .

中国专利 :CN211036098U ,2020-07-17

[2]

半导体设备反应腔室 [P].

王德志 ;

柳朋亮 .

中国专利 :CN111105976B ,2020-05-05

[3]

反应腔室和半导体设备 [P].

王磊 ;

张超 ;

耿波 ;

罗建恒 ;

赵康宁 ;

邱国庆 ;

田西强 .

中国专利 :CN109735822B ,2019-05-10

[4]

反应腔室和半导体设备 [P].

李雪菲 .

中国专利 :CN105206550B ,2015-12-30

[5]

反应腔室和半导体设备 [P].

秦海丰 ;

史小平 ;

李春雷 ;

纪红 ;

赵雷超 ;

张文强 .

中国专利 :CN110499499B ,2019-11-26

[6]

反应腔室及半导体设备 [P].

梁永军 .

中国专利 :CN216749815U ,2022-06-14

[7]

半导体设备的反应腔室 [P].

王勇飞 ;

史小平 ;

郑波 ;

兰云峰 .

中国专利 :CN111739820A ,2020-10-02

[8]

半导体设备的反应腔室及半导体设备 [P].

刘建 .

中国专利 :CN111446199A ,2020-07-24

[9]

半导体设备反应腔室的清理设备 [P].

王迪杏 ;

蒋伟 ;

王宁 ;

张阳 ;

秦文兵 ;

王金裕 ;

苗全 ;

盛路阳 ;

王伟 ;

顾育琪 .

中国专利 :CN211990114U ,2020-11-24

[10]

反应腔室及半导体设备 [P].

白云强 ;

张源 ;

李金龙 ;

张洪 ;

张文 ;

谷孝刚 ;

李补忠 ;

郑建宇 .

中国专利 :CN115125523A ,2022-09-30

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