一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811462164.0

申请日：

2018-12-03

公开(公告)号：

CN109663581A

公开(公告)日：

2019-04-23

发明(设计)人：

成会玲胡德琼刘迎梅字富庭陈树梁陈云龙胡显智

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

B01J2026

IPC分类号：

B01J2028 B01J2030 C02F128 C08F22214 C08F22060 C08J926 C02F10120

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	公开	公开
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 20/26 申请日:20181203
2022-01-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法 [P].

成会玲 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

陈树梁 ;

谢嘉轩 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109647232A ,2019-04-19

[2]

一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法 [P].

成会玲 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

赵莉 ;

陈树梁 ;

王朝武 ;

陈云龙 ;

何易 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589799B ,2019-04-09

[3]

一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法 [P].

字富庭 ;

赵莉 ;

胡德琼 ;

刘迎梅 ;

成会玲 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109589943B ,2019-04-09

[4]

一种以丙烯酰胺为功能单体的六价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

字富庭 ;

刘迎梅 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

王朝武 ;

陈云龙 ;

何易 ;

成会玲 ;

胡显智 .

中国专利 :CN109351347A ,2019-02-19

[5]

制备N-烷基（烷基）丙烯酰胺的方法 [P].

约翰·D·莫里斯 .

中国专利 :CN102131768A ,2011-07-20

[6]

一种金属离子印迹复合膜的制备方法 [P].

杨丽 ;

魏昕 ;

杨永强 .

中国专利 :CN105771701B ,2016-07-20

[7]

一种铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P].

成会玲 ;

赵莉 ;

刘迎梅 ;

胡德琼 ;

陈树梁 ;

字富庭 ;

胡显智 .

中国专利 :CN110256726A ,2019-09-20

[8]

一种N,N－二烷基丙烯酰胺的制备方法 [P].

李郁锦 ;

韩亮 ;

高建荣 ;

盛卫坚 ;

贾建洪 ;

王敏 ;

韩非 .

中国专利 :CN101143832A ,2008-03-19

[9]

N-烷基(甲基)丙烯酰胺的制备方法 [P].

D·布罗尔 ;

B·劳克斯 ;

C·毛尔 ;

P·彼得 ;

C·齐默尔 .

中国专利 :CN103906729A ,2014-07-02

[10]

一种N-烷基丙烯酰胺的制备方法 [P].

莫衍志 ;

徐青林 ;

吴林健 ;

彭韵燕 ;

白宝成 .

中国专利 :CN108047074A ,2018-05-18

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