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一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811462150.9
申请日：
2018-12-03
公开(公告)号：
CN109589799B
公开(公告)日：
2019-04-09
发明(设计)人：
成会玲 胡德琼 刘迎梅 赵莉 陈树梁 王朝武 陈云龙 何易 字富庭 胡显智
申请人：
申请人地址：
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号：
B01D6700
IPC分类号：
B01D6912 B01D6114 B01J2026 B01J2030 C02F144 C02F128 C02F10120
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-05-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 67/00 申请日:20181203
2021-10-22 授权 授权
2019-04-09 公开 公开
共 50 条
[1]
一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法 [P]. 
字富庭 ;
赵莉 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
成会玲 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109589943B ,2019-04-09
[2]
一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法 [P]. 
成会玲 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
字富庭 ;
陈树梁 ;
陈云龙 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109663581A ,2019-04-23
[3]
一种铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
赵莉 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110256726A ,2019-09-20
[4]
一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法 [P]. 
成会玲 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
赵莉 ;
陈树梁 ;
谢嘉轩 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109647232A ,2019-04-19
[5]
一种表面热聚合制备离子印迹复合膜的方法 [P]. 
杨丽 ;
平春霞 ;
王玉杰 .
中国专利 :CN106256839B ,2016-12-28
[6]
一种基于新功能单体铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
赵莉 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110339728B ,2019-10-18
[7]
一种金属离子印迹复合膜的制备方法 [P]. 
杨丽 ;
魏昕 ;
杨永强 .
中国专利 :CN105771701B ,2016-07-20
[8]
一种三价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
刘迎梅 ;
赵莉 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110339729A ,2019-10-18
[9]
一种以丙烯酰胺为功能单体的六价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
字富庭 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
王朝武 ;
陈云龙 ;
何易 ;
成会玲 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109351347A ,2019-02-19
[10]
一种铬（VI）离子印迹复合膜的制备方法及其应用 [P]. 
成会玲 ;
刘迎梅 ;
赵莉 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110339731B ,2019-10-18
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