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一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811462149.6
申请日：
2018-12-03
公开(公告)号：
CN109647232A
公开(公告)日：
2019-04-19
发明(设计)人：
成会玲 胡德琼 刘迎梅 赵莉 陈树梁 谢嘉轩 字富庭 胡显智
申请人：
申请人地址：
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号：
B01D7140
IPC分类号：
B01D6902 B01D6912 B01J2026 B01J2028 B01J2030
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-31 授权 授权
2019-05-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 71/40 申请日:20181203
2019-04-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种用N-吡咯烷基丙烯酰胺制备钴(II)离子印迹复合膜的方法 [P]. 
成会玲 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
字富庭 ;
陈树梁 ;
陈云龙 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109663581A ,2019-04-23
[2]
一种铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
赵莉 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110256726A ,2019-09-20
[3]
一种以丙烯酰胺为功能单体的六价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
字富庭 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
王朝武 ;
陈云龙 ;
何易 ;
成会玲 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109351347A ,2019-02-19
[4]
一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法 [P]. 
成会玲 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
赵莉 ;
陈树梁 ;
王朝武 ;
陈云龙 ;
何易 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109589799B ,2019-04-09
[5]
一种基于新功能单体铅(II)离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
赵莉 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110339728B ,2019-10-18
[6]
一种制备镉(II)离子印迹复合膜的方法 [P]. 
字富庭 ;
赵莉 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
成会玲 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109589943B ,2019-04-09
[7]
一种二价铅离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
赵莉 ;
刘迎梅 ;
胡德琼 ;
陈树梁 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN110339727A ,2019-10-18
[8]
N－羟甲基烷基丙烯酰胺的制备方法 [P]. 
黄德周 ;
易先春 ;
李胜兵 ;
陈军 ;
冯志德 .
中国专利 :CN101104592A ,2008-01-16
[9]
一种以α-甲基丙烯酸为功能单体的六价铬离子印迹复合膜的制备方法及应用 [P]. 
成会玲 ;
胡德琼 ;
刘迎梅 ;
陈树梁 ;
王朝武 ;
陈云龙 ;
何易 ;
字富庭 ;
胡显智 .
中国专利 :CN109438619A ,2019-03-08
[10]
N-烷基(甲基)丙烯酰胺的制备方法 [P]. 
D·布罗尔 ;
B·劳克斯 ;
C·毛尔 ;
P·彼得 ;
C·齐默尔 .
中国专利 :CN103906729A ,2014-07-02
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