具有磁场增强装置的等离子体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720169925.4

申请日：

2007-07-27

公开(公告)号：

CN201066954Y

公开(公告)日：

2008-05-28

发明(设计)人：

陈强张跃飞付亚波杨丽珍孙运金

申请人：

申请人地址：

102600北京市大兴区黄村镇兴华北路25号北京印刷学院

IPC主分类号：

H05H110

IPC分类号：

代理机构：

北京同汇友专利事务所

代理人：

高云瑞;杨宗润

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101328110952 IPC(主分类):H05H 1/10 专利号:ZL2007201699254 申请日:20070727 授权公告日:20080528 终止日期:20110727
2008-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

具有磁场增强旋转阵列电极的等离子体装置 [P].

陈强 ;

杨丽珍 ;

刘忠伟 ;

王正铎 ;

桑利军 .

中国专利 :CN103643221B ,2014-03-19

[2]

一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法 [P].

陈强 ;

杨丽珍 ;

王正铎 ;

刘忠伟 ;

张春梅 ;

张受业 .

中国专利 :CN102534570A ,2012-07-04

[3]

一种磁场增强等离子体射流的发生装置 [P].

卢新培 ;

晋绍珲 ;

聂兰兰 .

中国专利 :CN114845459A ,2022-08-02

[4]

磁场增强的沿面放电低温等离子体发生装置 [P].

茆春雷 .

中国专利 :CN221329193U ,2024-07-12

[5]

具有非金属基座的等离子体CVD装置 [P].

深泽笃毅 ;

松木信雄 ;

李禹镇 ;

清水三喜男 .

中国专利 :CN101314847A ,2008-12-03

[6]

一种磁场增强的等离子体枪 [P].

郑顺奇 ;

齐伟光 ;

倪杨 .

中国专利 :CN202103932U ,2012-01-04

[7]

具有双重型等离子体排出部的等离子体装置 [P].

石东篡 ;

卢泰协 ;

郑熔镐 ;

崔荣燮 ;

柳承烈 .

中国专利 :CN110958755A ,2020-04-03

[8]

等离子体反应室及具有其的等离子体装置 [P].

武小娟 .

中国专利 :CN103515179A ,2014-01-15

[9]

一种磁场增强平板等离子体化学气相沉积设备及系统 [P].

赵高 ;

朱慧钦 ;

滕达 ;

桓琼莎 .

中国专利 :CN110923673B ,2020-03-27

[10]

等离子体装置 [P].

柯明贤 ;

赖丰文 ;

林昆蔚 ;

张均豪 ;

陈泰宏 .

中国专利 :CN103839747A ,2014-06-04

← 1 2 3 4 5 →