一种磁场增强平板等离子体化学气相沉积设备及系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911074079.1
申请日
2019-11-05
公开(公告)号
CN110923673B
公开(公告)日
2020-03-27
发明(设计)人
赵高 朱慧钦 滕达 桓琼莎
申请人
申请人地址
450044 河南省郑州市惠济区大学城北区英才街6号
IPC主分类号
H01L21205
IPC分类号
代理机构
北京城烽知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11829
代理人
王新月
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
等离子体化学气相沉积系统及方法 [P]. 
孙元成 ;
宋学富 ;
杜秀蓉 ;
张晓强 ;
钟利强 ;
杨晓会 .
中国专利 :CN110894599A ,2020-03-20
[2]
一种等离子体化学气相沉积设备 [P]. 
滕海燕 .
中国专利 :CN106756894A ,2017-05-31
[3]
一种等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
朱珠 .
中国专利 :CN206635413U ,2017-11-14
[4]
等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
米山典孝 ;
大泽笃史 ;
坂本拓海 ;
中岛直人 .
中国专利 :CN105018899A ,2015-11-04
[5]
等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
I·米莉瑟维克 ;
M·J·N·范·斯特劳伦 ;
G·克拉比希斯 ;
A·H·E·布勒尔斯 .
中国专利 :CN115369380A ,2022-11-22
[6]
等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
富田修弘 ;
庄健太郎 ;
笠谷昌史 .
中国专利 :CN1103382C ,1998-09-09
[7]
等离子体化学气相沉积镀膜设备送气系统 [P]. 
杨普磊 ;
祖章旭 ;
赵成林 .
中国专利 :CN203284462U ,2013-11-13
[8]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
姜杉 ;
李建东 ;
杨志永 .
中国专利 :CN201587981U ,2010-09-22
[9]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
欧阳亮 .
中国专利 :CN120231033A ,2025-07-01
[10]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
吴斌 .
中国专利 :CN222935510U ,2025-06-03