等离子体反应室及具有其的等离子体装置

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专利类型
发明
申请号
CN201210220530.8
申请日
2012-06-29
公开(公告)号
CN103515179A
公开(公告)日
2014-01-15
发明(设计)人
武小娟
申请人
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01J3732
IPC分类号
H01L2167
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
宋合成
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体反应室 [P]. 
梁忠棋 ;
张昭升 ;
黄木上 ;
彭顺煌 .
中国专利 :CN1266550C ,2005-01-26
[2]
等离子体反应方法和等离子体反应装置 [P]. 
石川泰男 .
中国专利 :CN115380629A ,2022-11-22
[3]
用于等离子体反应腔室的电加热器、等离子体反应腔室 [P]. 
杜鹏程 ;
杨芹 ;
胡萍 ;
王桂滨 ;
马雷 .
中国专利 :CN120417139A ,2025-08-01
[4]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[5]
等离子体装置和等离子体沉积设备 [P]. 
李翔 ;
种展鹏 ;
袁红霞 ;
王娟 ;
姚俊 .
中国专利 :CN119943637B ,2025-11-04
[6]
等离子体装置和等离子体沉积设备 [P]. 
李翔 ;
种展鹏 ;
袁红霞 ;
王娟 ;
姚俊 .
中国专利 :CN119943637A ,2025-05-06
[7]
用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P]. 
金南宪 .
中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19
[8]
等离子体装置及等离子体生成方法 [P]. 
安藤真 ;
石井信雄 .
中国专利 :CN1488164A ,2004-04-07
[9]
等离子体装置及等离子体生成方法 [P]. 
安藤真 ;
高桥応明 ;
石井信雄 .
中国专利 :CN1293789C ,2004-10-13
[10]
等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
舆水地盐 .
日本专利 :CN112242290B ,2024-10-29