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基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610333650.7
申请日：
2016-05-19
公开(公告)号：
CN105869998B
公开(公告)日：
2016-08-17
发明(设计)人：
张进成 吕佳骐 陈智斌 庞凯 朱家铎 许晟瑞 林志宇 宁静 张金风 郝跃
申请人：
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
C23C1435 C23C1406 C23C1634 C23C2804
代理机构：
陕西电子工业专利中心 61205
代理人：
田文英;王品华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-07-06 授权 授权
2016-08-17 公开 公开
2016-09-14 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678620996 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016103336507 申请日:20160519
共 50 条
[1]
基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
陈智斌 ;
庞凯 ;
吕佳骐 ;
朱家铎 ;
许晟瑞 ;
林志宇 ;
宁静 ;
张金风 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105977135A ,2016-09-28
[2]
基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
朱家铎 ;
陈智斌 ;
庞凯 ;
吕佳骐 ;
许晟瑞 ;
林志宇 ;
宁静 ;
张金 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105931946B ,2016-09-07
[3]
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
庞凯 ;
陈智斌 ;
吕佳骐 ;
朱家铎 ;
许晟瑞 ;
林志宇 ;
宁静 ;
张金风 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105810562A ,2016-07-27
[4]
基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
庞凯 ;
陈智斌 ;
吕佳骐 ;
朱家铎 ;
许晟瑞 ;
林志宇 ;
宁静 ;
张金 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105861987A ,2016-08-17
[5]
基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
陈智斌 ;
吕佳骐 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105633225A ,2016-06-01
[6]
在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
陈智斌 ;
吕佳骐 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105734530B ,2016-07-06
[7]
基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法 [P]. 
张进成 ;
陈智斌 ;
吕佳骐 ;
郝跃 .
中国专利 :CN105655238B ,2016-06-08
[8]
氮化镓生长方法 [P]. 
段瑞飞 ;
魏同波 ;
王国宏 ;
曾一平 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09
[9]
基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 [P]. 
王文杰 ;
李俊泽 ;
龙衡 ;
李沫 ;
张健 .
中国专利 :CN106868596A ,2017-06-20
[10]
准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及其生长方法 [P]. 
彭晖 ;
彭一芳 .
中国专利 :CN1333435C ,2005-05-18
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